Qidiruv

ruschaЛионoʻzbekchaLion

Лион один из больших центров индустрии ФранцииLion Fransiyaning eng katta sanoat markazlaridan biridir

Mikroelektronikada foydalaniladigan, qalinligi kamida 3 dan 5 mkm gacha boʻlgan qattiq qatlamlar. Ular oʻtkazuvchan, rezistiv va izolyatsiyalovchi (dielektrik) qalin plyonkalarga boʻlinadi.ruschaтолстые пленки, Используемые в микроэлектронике твердые слои толщиной не менее от 3 до 5 mkm. Толстые пленки подразделяются на проводящие, резистивные и изолирующие (диэлектрические).inglizchathick-films

Qalinligi kamida 1 dan 3 mkm gacha boʻlgan qattiq qatlamlar. Ular materiali (metall, yarimoʻtkazgichli, magnit, pezoelektrik, oʻta oʻtkazuvchan), strukturasi (monokristall, polikristall, amorf), tushirish usuli boʻyicha farqlanadi. Tverdie sloi tolshinoy ne bolee ot 1 do 3 mkm. Тонкие пленки различают по материалу (металлические, полупроводниковые, магнитные, пьезоэлектрические, сверхпроводящие и др.), по структуре (монокристаллические, поликристаллические, аморфные), по способу нанесения.ruschaтонкие пленкиinglizchathin-films

Ikkita kirishi boʻlgan oʻta oʻtkazuvchan element, unda kirish zanjirining toki chiqish zanjiridagi tok oʻzining kritik qiymatidan kam boʻlgan holda, oʻzining magnit maydoni orqali chiqish zanjirini oʻta oʻtkazuvchan holatdan normal holatga oʻtishini boshqaradi.ruschaпленочный криотрон, Сверхпроводящий элемент с двумя входами, в котором ток входной цепи своим магнитным полем управляет переходом из сверхпроводящего в нормальное состояние выходной цепи, если ток в выходной цепи меньше своего критического значения.inglizchafilm cryotron

Izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori boʻlib, unda kanal izolyatsiyalovchi taglikka qalinligi 0,1 dan 1 mkm gacha boʻlgan yarimoʻtkazgich qatlamini tushirish orqali vujudga keltiriladi. Polevoy tranzistor s izolirovannim zatvorom, v kotorom kanal sozdan naneseniyem plenki poluprovodnika tolshinoy ot 0,1 do 1 mkm на изолирующую подложку.ruschaтонкоплёночный транзисторinglizchathin-film transistor