Hayot Foundation лойиҳаси
Ўз

Яримўтказгичдаги тешилиш

Yarimoʻtkazgichdagi teshilish
Электрон техника ва радиоелектроника луғати

Яримўтказгичдаги тешилиш

Яримўтказгич орқали ўтадиган электр токининг қўйилган потенсиаллар фарқи намунага нисбатан кам ўзгарганда кескин ошиб кетиш ҳодисаси. Тешилишнинг асосий сабаби зарбли ионлашиш ва кучли электр майдонларда заряд ташувчиларнинг кўчки кўпайиши ҳисобланади.русчапробой в полупроводнике, Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях.инглизчаbreakdown in semiconductors

Мақоладаги хато ҳақида хабар бериш