{"headword": "Yarimoʻtkazgichdagi teshilish", "key": "yarimotkazgichdagi teshilish", "entries": [{"dictionary": {"name": "Словарь электронной техники и радиоэлектроники", "title": "Электрон техника ва радиоэлектроникага оид атамаларнинг ўзбекча-русча изоҳли луғати", "kind": "Терминологический", "imprint": "Аҳмедова, Ё.; Тулаганов, Ш.; Жабборов, Т. (2007). Электрон техника ва радиоэлектроникага оид атамаларнинг ўзбекча-русча изоҳли луғати. Tashkent: Билим.", "url": "https://til.uz/lugatlar/elektron-texnika-va-radioelektronikaga-oid-atamalarning-ozbekcha-ruscha-izohli-lugati/", "page": "391"}, "pos": "", "labels": [], "variants": [], "etymology": "", "phraseology": "", "pronunciation": "", "senses": [{"order": 1, "text": "Yarimoʻtkazgich orqali oʻtadigan elektr tokining qoʻyilgan potensiallar farqi namunaga nisbatan kam oʻzgarganda keskin oshib ketish hodisasi. Teshilishning asosiy sababi zarbli ionlashish va kuchli elektr maydonlarda zaryad tashuvchilarning koʻchki koʻpayishi hisoblanadi.", "examples": []}], "translations": [], "cross_references": [], "extra": {"raw_word": "Яримўтказгичдаги тешилиш ru - пробой в полупроводнике en - breakdown in semiconductors", "raw_meaning": "Яримўтказгич орқали ўтадиган электр токининг қўйилган потенциаллар фарқи намунага нисбатан кам ўзгарганда кескин ошиб кетиш ҳодисаси. Тешилишнинг асосий сабаби зарбли ионлашиш ва кучли электр майдонларда заряд ташувчиларнинг кўчки кўпайиши ҳисобланади. Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях."}}]}