Yarimoʻtkazgichdagi teshilish

Yarimoʻtkazgich orqali oʻtadigan elektr tokining qoʻyilgan potensiallar farqi namunaga nisbatan kam oʻzgarganda keskin oshib ketish hodisasi. Teshilishning asosiy sababi zarbli ionlashish va kuchli elektr maydonlarda zaryad tashuvchilarning koʻchki koʻpayishi hisoblanadi.русскийпробой в полупроводнике, Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях.английскийbreakdown in semiconductors