{"headword": "Yupqa plyonkali tranzistor", "key": "yupqa plyonkali tranzistor", "entries": [{"dictionary": {"name": "Словарь электронной техники и радиоэлектроники", "title": "Электрон техника ва радиоэлектроникага оид атамаларнинг ўзбекча-русча изоҳли луғати", "kind": "Терминологический", "imprint": "Аҳмедова, Ё.; Тулаганов, Ш.; Жабборов, Т. (2007). Электрон техника ва радиоэлектроникага оид атамаларнинг ўзбекча-русча изоҳли луғати. Tashkent: Билим.", "url": "https://til.uz/lugatlar/elektron-texnika-va-radioelektronikaga-oid-atamalarning-ozbekcha-ruscha-izohli-lugati/", "page": "388"}, "pos": "", "labels": [], "variants": [], "etymology": "", "phraseology": "", "pronunciation": "", "senses": [{"order": 1, "text": "Izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori boʻlib, unda kanal izolyatsiyalovchi taglikka qalinligi 0,1 dan 1 mkm gacha boʻlgan yarimoʻtkazgich qatlamini tushirish orqali vujudga keltiriladi. Polevoy tranzistor s izolirovannim zatvorom, v kotorom kanal sozdan naneseniyem plenki poluprovodnika tolshinoy ot 0,1 do 1 mkm на изолирующую подложку.", "examples": []}], "translations": [], "cross_references": [], "extra": {"raw_word": "Юпқа плёнкали транзистор ru - тонкоплёночный транзистор en - thin-film transistor", "raw_meaning": "Изоляцияланган затворли майдон транзистори бўлиб, унда канал изоляцияловчи тагликка қалинлиги 0,1 дан 1 mkm гача бўлган яримўтказгич қатламини тушириш орқали вужудга келтирилади. Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором канал создан нанесением пленки полупроводника толщиной от 0,1 до 1 mkm на изолирующую подложку."}}]}