Қидирув

плёнка

Иккита кириши бўлган ўта ўтказувчан элемент, унда кириш занжирининг токи чиқиш занжиридаги ток ўзининг критик қийматидан кам бўлган ҳолда, ўзининг магнит майдони орқали чиқиш занжирини ўта ўтказувчан ҳолатдан нормал ҳолатга ўтишини бошқаради.русчапленочный криотрон, Сверхпроводящий элемент с двумя входами, в котором ток входной цепи своим магнитным полем управляет переходом из сверхпроводящего в нормальное состояние выходной цепи, если ток в выходной цепи меньше своего критического значения.инглизчаfilm cryotron

Барча элементлари ва элементлараро уланишлар плёнкалар кўринишида бажарилган интеграл микросхема. Изоҳ - Плёнкали интеграл микросхемалар қалин плёнкали ва юпқа плёнкали бўлиши мумкин.русчапленочная интегральная микросхема, Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Примечание - Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными.инглизчаfilm integrated cicuit

Микроелектроникада фойдаланиладиган, қалинлиги камида 3 дан 5 мкм гача бўлган қаттиқ қатламлар. Улар ўтказувчан, резистив ва изоляцияловчи (диелектрик) қалин плёнкаларга бўлинади.русчатолстые пленки, Используемые в микроэлектронике твердые слои толщиной не менее от 3 до 5 mkm. Толстые пленки подразделяются на проводящие, резистивные и изолирующие (диэлектрические).инглизчаthick-films

Қалинлиги камида 1 дан 3 мкм гача бўлган қаттиқ қатламлар. Улар материали (металл, яримўтказгичли, магнит, пезоелектрик, ўта ўтказувчан), структураси (монокристалл, поликристалл, аморф), tushirish usuli boʻyicha farqlanadi. Tverdie sloi tolshinoy ne bolee ot 1 do 3 mkm. Тонкие пленки различают по материалу (металлические, полупроводниковые, магнитные, пьезоэлектрические, сверхпроводящие и др.), по структуре (монокристаллические, поликристаллические, аморфные), по способу нанесения.русчатонкие пленкиинглизчаthin-films

Изоляцияланган затворли майдон транзистори бўлиб, унда канал изоляцияловчи тагликка қалинлиги 0,1 дан 1 мкм гача бўлган яримўтказгич қатламини тушириш орқали вужудга келтирилади. Полевой транзистор с изолированним затвором, в котором канал создан нанесением пленки полупроводника толшиной от 0,1 до 1 мкм на изолирующую подложку.русчатонкоплёночный транзисторинглизчаthin-film transistor