Поиск

plyonka

Ikkita kirishi boʻlgan oʻta oʻtkazuvchan element, unda kirish zanjirining toki chiqish zanjiridagi tok oʻzining kritik qiymatidan kam boʻlgan holda, oʻzining magnit maydoni orqali chiqish zanjirini oʻta oʻtkazuvchan holatdan normal holatga oʻtishini boshqaradi.русскийпленочный криотрон, Сверхпроводящий элемент с двумя входами, в котором ток входной цепи своим магнитным полем управляет переходом из сверхпроводящего в нормальное состояние выходной цепи, если ток в выходной цепи меньше своего критического значения.английскийfilm cryotron

Barcha elementlari va elementlararo ulanishlar plyonkalar koʻrinishida bajarilgan integral mikrosxema. Izoh - Plyonkali integral mikrosxemalar qalin plyonkali va yupqa plyonkali boʻlishi mumkin.русскийпленочная интегральная микросхема, Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Примечание - Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными.английскийfilm integrated cicuit

Mikroelektronikada foydalaniladigan, qalinligi kamida 3 dan 5 mkm gacha boʻlgan qattiq qatlamlar. Ular oʻtkazuvchan, rezistiv va izolyatsiyalovchi (dielektrik) qalin plyonkalarga boʻlinadi.русскийтолстые пленки, Используемые в микроэлектронике твердые слои толщиной не менее от 3 до 5 mkm. Толстые пленки подразделяются на проводящие, резистивные и изолирующие (диэлектрические).английскийthick-films

Qalinligi kamida 1 dan 3 mkm gacha boʻlgan qattiq qatlamlar. Ular materiali (metall, yarimoʻtkazgichli, magnit, pezoelektrik, oʻta oʻtkazuvchan), strukturasi (monokristall, polikristall, amorf), tushirish usuli boʻyicha farqlanadi. Tverdie sloi tolshinoy ne bolee ot 1 do 3 mkm. Тонкие пленки различают по материалу (металлические, полупроводниковые, магнитные, пьезоэлектрические, сверхпроводящие и др.), по структуре (монокристаллические, поликристаллические, аморфные), по способу нанесения.русскийтонкие пленкианглийскийthin-films

Izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori boʻlib, unda kanal izolyatsiyalovchi taglikka qalinligi 0,1 dan 1 mkm gacha boʻlgan yarimoʻtkazgich qatlamini tushirish orqali vujudga keltiriladi. Polevoy tranzistor s izolirovannim zatvorom, v kotorom kanal sozdan naneseniyem plenki poluprovodnika tolshinoy ot 0,1 do 1 mkm на изолирующую подложку.русскийтонкоплёночный транзисторанглийскийthin-film transistor