Поиск

complementary metal-oxide-system комплиментарная (дополняющая) металлокисель-полупроводник система комплиментар (тўлдирувчи) металлоксид-яримўтказгич тизим

complementary metal-oxidesemiconductor комплиментарная структура металлокисель-полупроводник, КМОП-структура комплиментар металлоксид-яримўтказгич структура, КМОЯ-структу

metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor структура металл-окисель-нитрид (кремния) окисель-полупроводник, МОНОП-структура металл-оксид-нитрид (кремний)-оксид-яримўтказгич

Metal-Oxide Semiconductor Read-Only Memory ROM (постоянное запоминающее устройство) на полупроводниках типа металл-окисель-полупроводник металл-оксид-яримўтказгич туридаг

Enhancement/ Depletion Metal Oxide-Semiconductor металл-окисел-полупроводник транзисторы, работающие в режимах объединения и обогащения кучсизлантириш ва бойитиш режимида

тилган МОЯ-конденсаторларни ўз ичига олувчи интеграл схема. Интегральная схема, содержащая на полупроводниковой подложке цепочку конденсаторов на основе МОП-(металл-оксид

Электрон-тешикли ўтиш ёки металлоўтказгич контактга эга яримўтказгичли диод. Унда токнинг ўтиши спектрнинг инфрақизил, кўринадиган ёки ультрабинафша соҳаларида оптик нурл

Ташқи таъсир остида яримўтказгичли ёки диэлектрик соҳага мувозанатсиз заряд ташувчиларни киритиш. Заряд ташувчилар инжекцияси электрон-тешикли ўтиш ва металл-яримўтказгич

yarimo‘tkazgich полупроводник

Прибор для регистрации ионизирующих излучений, основным элементом которого является полупроводник или полупроводниковая структура, содержащая электронно-дырочный переход.

Выделение или поглощение теплоты при протекании электрического тока через однородный полупроводник, обусловленное продольным градиентом температуры. Томсон эффекти Бир жи

ўтиш зонасига эга бўлган ярим ўтказгични электр занжирига (р-типдаги томон мусбат қутбга, n-типдаги томон манфий қутбга) улаймиз. Бунда зарядни n дан р га электронлар, р