Izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori boʻlib, unda kanal izolyatsiyalovchi taglikka qalinligi 0,1 dan 1 mkm gacha boʻlgan yarimoʻtkazgich qatlamini tushirish orqali vujudga keltiriladi. Polevoy tranzistor s izolirovannim zatvorom, v kotorom kanal sozdan naneseniyem plenki poluprovodnika tolshinoy ot 0,1 do 1 mkm на изолирующую подложку.ruschaтонкоплёночный транзисторinglizchathin-film transistor