Поиск

Qalinligi kamida 1 dan 3 mkm gacha boʻlgan qattiq qatlamlar. Ular materiali (metall, yarimoʻtkazgichli, magnit, pezoelektrik, oʻta oʻtkazuvchan), strukturasi (monokristall, polikristall, amorf), tushirish usuli boʻyicha farqlanadi. Tverdie sloi tolshinoy ne bolee ot 1 do 3 mkm. Тонкие пленки различают по материалу (металлические, полупроводниковые, магнитные, пьезоэлектрические, сверхпроводящие и др.), по структуре (монокристаллические, поликристаллические, аморфные), по способу нанесения.русскийтонкие пленкианглийскийthin-films

Izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori boʻlib, unda kanal izolyatsiyalovchi taglikka qalinligi 0,1 dan 1 mkm gacha boʻlgan yarimoʻtkazgich qatlamini tushirish orqali vujudga keltiriladi. Polevoy tranzistor s izolirovannim zatvorom, v kotorom kanal sozdan naneseniyem plenki poluprovodnika tolshinoy ot 0,1 do 1 mkm на изолирующую подложку.русскийтонкоплёночный транзисторанглийскийthin-film transistor

Oʻzgarmas sigʻimli kondensator. Uning qoplamasi va dielektrigi taglikka tushirilgan yupqa plyonkalar shaklida qilingan.

Oʻzagi va/yoki qutbli uchliklari (uchlik) yupqa plyonkali texnologiya usullari bilan yasalgan magnit kallak. Magnitnaya golovka, u kotoroy serdechnik i/или полюсные наконечники (наконечник) выполнены методами тонкопленочной технологии.русскийтонкоплёночная магнитная головкаанглийскийintegrated head