Қидирув

а neat, orderly (person, things)

Қалинлиги камида 1 дан 3 мкм гача бўлган қаттиқ қатламлар. Улар материали (металл, яримўтказгичли, магнит, пезоелектрик, ўта ўтказувчан), структураси (монокристалл, поликристалл, аморф), tushirish usuli boʻyicha farqlanadi. Tverdie sloi tolshinoy ne bolee ot 1 do 3 mkm. Тонкие пленки различают по материалу (металлические, полупроводниковые, магнитные, пьезоэлектрические, сверхпроводящие и др.), по структуре (монокристаллические, поликристаллические, аморфные), по способу нанесения.русчатонкие пленкиинглизчаthin-films

ер ости сувлари сатҳини сунъий пасайтириш.

Изоляцияланган затворли майдон транзистори бўлиб, унда канал изоляцияловчи тагликка қалинлиги 0,1 дан 1 мкм гача бўлган яримўтказгич қатламини тушириш орқали вужудга келтирилади. Полевой транзистор с изолированним затвором, в котором канал создан нанесением пленки полупроводника толшиной от 0,1 до 1 мкм на изолирующую подложку.русчатонкоплёночный транзисторинглизчаthin-film transistor