Поиск

Yarimoʻtkazgichning taqiqlangan zonadagi aralashmali sathlarining aralashmalarning konsentratsiyasi yuqori boʻlganda yoki kristallning strukturaviy nuqsonlari koʻpligi natijasida yuzaga keluvchi sohasi.русскийпримесная зона, Область примесных уровней в запрещенной зоне полупроводника, возникающая при достаточно высокой концентрации примесей или структурных дефектов кристалла.английскийimpurity band

Yarimoʻtkazgichning taqiqlangan zonada joylashgan va yarimoʻtkazgichda aralashmalarning yoki strukturaviy nuqsonlarning borligi bilan bogʻliq lokal energetik sathlari.русскийпримесные уровни, Локальные энергетические уровни полупроводника, расположенные в запрещенной зоне и обусловленные присутствием в полупроводнике примесей или структурных дефектов.английскийimpurity level

Aralashmalar boʻlmaganda xususiy zaryad tashuvchilardan koʻp boʻlgan miqdordagi donor yoki akseptor atomlarni ichiga oluvchi yarimoʻtkazgich.русскийпримесный полупроводник, Полупроводник, содержащий донорные или акцепторные атомы в количестве, превышающем количество собственных носителей заряда при отсутствии примеси.английскийimpurity semiconductor

Legirlovchi donor yoki akseptor aralashmalarni yarimoʻtkazgichli materialga kiritish usullaridan biri va/yoki ularning diffuziya yordamida elektron-teshikli oʻtishlar va yarimoʻtkazgichli strukturalar yaratish maqsadida qayta taqsimlanishi.русскийдиффузия примесей в полупроводник, Один из методов введения легирующих донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый материал и/или их перераспределение в нем, осуществляемое посредством диффузии с целью со-английскийimpurity diffusion