Қидирув

Яримўтказгичнинг тақиқланган зонадаги аралашмали сатҳларининг аралашмаларнинг консентрацияси юқори бўлганда ёки кристаллнинг структуравий нуқсонлари кўплиги натижасида юзага келувчи соҳаси.русчапримесная зона, Область примесных уровней в запрещенной зоне полупроводника, возникающая при достаточно высокой концентрации примесей или структурных дефектов кристалла.инглизчаimpurity band

Яримўтказгичнинг тақиқланган зонада жойлашган ва яримўтказгичда аралашмаларнинг ёки структуравий нуқсонларнинг борлиги билан боғлиқ локал энергетик сатҳлари.русчапримесные уровни, Локальные энергетические уровни полупроводника, расположенные в запрещенной зоне и обусловленные присутствием в полупроводнике примесей или структурных дефектов.инглизчаimpurity level

Аралашмалар бўлмаганда хусусий заряд ташувчилардан кўп бўлган миқдордаги донор ёки аксептор атомларни ичига олувчи яримўтказгич.русчапримесный полупроводник, Полупроводник, содержащий донорные или акцепторные атомы в количестве, превышающем количество собственных носителей заряда при отсутствии примеси.инглизчаimpurity semiconductor

Легирловчи донор ёки аксептор аралашмаларни яримўтказгичли материалга киритиш усулларидан бири ва/ёки уларнинг диффузия ёрдамида электрон-тешикли ўтишлар ва яримўтказгичли структуралар яратиш мақсадида қайта тақсимланиши.русчадиффузия примесей в полупроводник, Один из методов введения легирующих донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый материал и/или их перераспределение в нем, осуществляемое посредством диффузии с целью со-инглизчаimpurity diffusion